Как взаимодействуют атомы Te и W

На этой странице представлены результаты термодинамического расчёта взаимодействия 10 моль атомов Te и 10 моль атомов W в газовой фазе, с учётом следующих допущений:

  • Приведён равновесный состав системы в указанном интервале температур при давлении 1 атм.
  • Каждое вещество рассматривается как индивидуальная фаза.
  • Фаза каждого конкретного газа-продукта не образует газовых растворов с другими фазами.
10 Te + 10 W298–1303 K10 Te + 10 W

10 Te + 10 W1303–2178 K10 W + 5 Te2 (gas)

10 Te + 10 W2178–3000 K10 W + 10 Te (gas)

Расчёт произведён с помощью химического калькулятора равновесного фазового состава.

Описание взаимодействий W и Te*

Анализ термодинамического равновесия системы вольфрама и теллура в газовой фазе демонстрирует отсутствие склонности компонентов к образованию бинарных соединений в исследуемом температурном диапазоне при атмосферном давлении. Отсутствие продуктов взаимодействия между W и Te свидетельствует о низком химическом сродстве данных элементов в газовом состоянии или о высокой термодинамической устойчивости исходных атомов по сравнению с гипотетическими интерметаллидами в указанных условиях.

Особый интерес представляет поведение теллура, который проявляет свойства типичного халькогена. В интервале от 1303 до 2178 К наблюдается переход атомарного теллура в димерную форму Te2. Это указывает на то, что энергия связи Te-Te достаточна для стабилизации молекул при средних температурах. Однако при дальнейшем нагреве свыше 2178 К происходит термическая диссоциация Te2 обратно в атомарное состояние, что обусловлено доминирующим влиянием энтропийного фактора при сверхвысоких температурах, когда стремление системы к увеличению числа частиц становится определяющим.

Вольфрам на протяжении всего расчетного диапазона остается химически инертным по отношению к теллуру, что может быть связано с его высокой энергией когезии и значительным энергетическим барьером для инициации взаимодействия в газовой фазе. Подобные расчеты имеют критическое значение при проектировании процессов химического осаждения из газовой фазы (CVD) или синтеза двумерных материалов, позволяя определить температурные окна, в которых компоненты остаются стабильными или переходят в формы, необходимые для последующего роста кристаллической структуры.



* Из-за большого количества расчетных данных, анализ расчетов осуществлялся нейросетью. В выводах могут присутствовать ошибки. Если вы обнаружили спорные моменты, напишите нам.