Как взаимодействуют атомы Te и Dy

На этой странице представлены результаты термодинамического расчёта взаимодействия 10 моль атомов Te и 10 моль атомов Dy в газовой фазе, с учётом следующих допущений:

  • Приведён равновесный состав системы в указанном интервале температур при давлении 1 атм.
  • Каждое вещество рассматривается как индивидуальная фаза.
  • Фаза каждого конкретного газа-продукта не образует газовых растворов с другими фазами.
10 Te + 10 Dy298–1303 K10 Dy_-a;-b + 10 Te

10 Te + 10 Dy1303–2178 K10 Dy_-a;-b + 5 Te2 (gas)

10 Te + 10 Dy2178–2809 K10 Dy_-a;-b + 10 Te (gas)

10 Te + 10 Dy2809–3000 K10 Dy (gas) + 10 Te (gas)

Расчёт произведён с помощью химического калькулятора равновесного фазового состава.

Описание взаимодействий Dy и Te*

Взаимодействие диспрозия с теллуром характеризуется выраженным химическим сродством, что приводит к образованию термодинамически устойчивых интерметаллических соединений. Высокая стабильность твердой фазы в широком температурном диапазоне свидетельствует о значительном отрицательном значении энтальпии образования соответствующих теллуридов, что типично для систем редкоземельных металлов с халькогенами.

При повышении температуры выше 1303 К наблюдается постепенный переход системы в область частичной диссоциации, что проявляется в появлении в газовой фазе молекул Te2. Это явление обусловлено высокой летучестью теллура по сравнению с диспрозием. С дальнейшим ростом температуры до 2178 К происходит переход от димерных форм теллура к моноатомному состоянию, в то время как твердая фаза продолжает сохранять свою целостность, что указывает на высокую энергию связи в кристаллической решетке соединения.

Полное разложение системы на индивидуальные газообразные компоненты происходит лишь при достижении критической отметки в 2809 К. В этой точке вклад энтропийного фактора становится превалирующим над энтальпийным, что приводит к термодинамическому разрушению структуры соединения и переходу системы в состояние смеси атомарных газов. Подобные расчеты имеют принципиальное значение при проектировании технологических процессов синтеза редкоземельных халькогенидов, которые находят применение в создании термоэлектриков и полупроводников, особенно при использовании методов химического осаждения из газовой фазы или высокотемпературного вакуумного плавления.



* Из-за большого количества расчетных данных, анализ расчетов осуществлялся нейросетью. В выводах могут присутствовать ошибки. Если вы обнаружили спорные моменты, напишите нам.